Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4946BEY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 787-9027
- Producentens varenummer:
- SI4946BEY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 77,64
(ekskl. moms)
Kr. 97,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 35 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 1.670 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,528 | Kr. 77,64 |
| 50 - 120 | Kr. 13,194 | Kr. 65,97 |
| 125 - 245 | Kr. 12,446 | Kr. 62,23 |
| 250 - 495 | Kr. 11,654 | Kr. 58,27 |
| 500 + | Kr. 10,86 | Kr. 54,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9027
- Producentens varenummer:
- SI4946BEY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.55mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 6.5 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 6.5 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4946BEY-T1-E3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 6.5 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4909DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY Nej SI9407BDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 5.3 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI9945BDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET Nej SI4559ADY-T1-GE3