Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 84,82

(ekskl. moms)

Kr. 106,025

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Plus 40 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
  • Sidste 3.345 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,964Kr. 84,82
50 - 120Kr. 14,392Kr. 71,96
125 - 245Kr. 13,584Kr. 67,92
250 - 495Kr. 12,746Kr. 63,73
500 +Kr. 11,864Kr. 59,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3345
Producentens varenummer:
SI4559ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

72mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.4W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.