Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 3,9 A, 5,3 A 60 V, 8 ben, SOIC SI4559ADY-T1-GE3

RS-varenummer:: 710-3345
Producentens varenummer:: SI4559ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 3,9 A, 5,3 A 60 V, 8 ben, SOIC SI4559ADY-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Pris (Leveres i pakke af 5)**

Kr. 10,202

(ekskl. moms)

Kr. 12,752

(inkl. moms)

10 På lager for afsendelse samme dag*

5 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
5 - 45	Kr. 10,202	Kr. 51,01
50 - 120	Kr. 8,662	Kr. 43,31
125 - 245	Kr. 8,184	Kr. 40,92
250 - 495	Kr. 7,674	Kr. 38,37
500 +	Kr. 7,12	Kr. 35,60

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 710-3345
Producentens varenummer:: SI4559ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	3,9 A, 5,3 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	72 mΩ, 150 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	1V
Effektafsættelse maks.	3,1 W, 3,4 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	2
Længde	5mm
Transistormateriale	Si
Bredde	4mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	13 nC ved 30 V, 14,5 nC ved 30 V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.5mm

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 3,9 A, 5,3 A 60 V, 8 ben, SOIC SI4559ADY-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links