Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4925DDY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 37,34

(ekskl. moms)

Kr. 46,675

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 75 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 6.550 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 7,468Kr. 37,34
50 - 245Kr. 7,012Kr. 35,06
250 - 495Kr. 6,362Kr. 31,81
500 - 1245Kr. 5,974Kr. 29,87
1250 +Kr. 5,602Kr. 28,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9052
Producentens varenummer:
SI4925DDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

150°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links