Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 61,78

(ekskl. moms)

Kr. 77,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.965 enhed(er) afsendes fra 09. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,356Kr. 61,78
50 - 245Kr. 10,622Kr. 53,11
250 - 495Kr. 8,632Kr. 43,16
500 - 1245Kr. 7,18Kr. 35,90
1250 +Kr. 6,552Kr. 32,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9008
Producentens varenummer:
SI4948BEY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.4W

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links