Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4948BEY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 787-9008
- Producentens varenummer:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,78
(ekskl. moms)
Kr. 77,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 2.965 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,356 | Kr. 61,78 |
| 50 - 245 | Kr. 10,622 | Kr. 53,11 |
| 250 - 495 | Kr. 8,632 | Kr. 43,16 |
| 500 - 1245 | Kr. 7,18 | Kr. 35,90 |
| 1250 + | Kr. 6,552 | Kr. 32,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9008
- Producentens varenummer:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4925DDY-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY Nej SI9407BDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI9933CDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4909DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2392ADS-T1-GE3
- Vishay 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET Nej SI4564DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET Nej SI4554DY-T1-GE3