Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 9.020,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.275,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,608Kr. 9.020,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4198
Producentens varenummer:
SI4948BEY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

2.4W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links