Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 9.020,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.275,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,608Kr. 9.020,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4198
Producentens varenummer:
SI4948BEY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.4W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links