Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 6.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4909DY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 129,64

(ekskl. moms)

Kr. 162,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.940 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 6,482Kr. 129,64
100 - 180Kr. 5,506Kr. 110,12
200 - 480Kr. 4,668Kr. 93,36
500 - 980Kr. 4,335Kr. 86,70
1000 +Kr. 4,148Kr. 82,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1302
Producentens varenummer:
SI4909DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

34mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41.5nC

Min. driftstemperatur

150°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.2W

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Højde

1.55mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links