Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 6.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 818-1302
- Producentens varenummer:
- SI4909DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 103,70
(ekskl. moms)
Kr. 129,62
(inkl. moms)
Tilføj 120 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 4.940 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,185 | Kr. 103,70 |
| 100 - 180 | Kr. 4,402 | Kr. 88,04 |
| 200 - 480 | Kr. 3,733 | Kr. 74,66 |
| 500 - 980 | Kr. 3,469 | Kr. 69,38 |
| 1000 + | Kr. 3,319 | Kr. 66,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 818-1302
- Producentens varenummer:
- SI4909DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 34mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41.5nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.2W | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 34mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41.5nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.2W | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 6.5 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.8 A 20 V Forbedring ChipFET, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 7.5 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET