Vishay 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 24,42

(ekskl. moms)

Kr. 30,53

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 4,884Kr. 24,42

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3327
Producentens varenummer:
SI4214DDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

19.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

+150°C

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.