Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 24,42

(ekskl. moms)

Kr. 30,525

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 4,884Kr. 24,42

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3327
Producentens varenummer:
SI4214DDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

19.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links