Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET Nej SI4214DDY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 710-3327
- Producentens varenummer:
- SI4214DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 24,42
(ekskl. moms)
Kr. 30,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.465 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 4,884 | Kr. 24,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3327
- Producentens varenummer:
- SI4214DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 7.5 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4124DY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI9933CDY-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4909DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET Nej SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej