Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 59,40

(ekskl. moms)

Kr. 74,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 75 enhed(er) afsendes fra 24. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 2,376Kr. 59,40
250 - 600Kr. 2,232Kr. 55,80
625 - 1225Kr. 2,017Kr. 50,43
1250 - 2475Kr. 1,903Kr. 47,58
2500 +Kr. 1,78Kr. 44,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
152-6358
Producentens varenummer:
SI2302DDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.86W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Halogenfri

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg testet

ANVENDELSER

Belastningsudligning til bærbare enheder

DC/DC konverter

Relaterede links