Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 152-6358
- Producentens varenummer:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 152-6358
- Producentens varenummer:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.075Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.71W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.075Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.71W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bredde 1.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Halogenfri
TrenchFET® Power MOSFET
100 % Rg testet
ANVENDELSER
Belastningsudligning til bærbare enheder
DC/DC konverter
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 3.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 2.6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 5.6 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET