Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
RS-varenummer:
180-7271
Producentens varenummer:
SI2308BDS-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.192Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.3nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.66W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Bredde

2.64 mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 156 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal nominel effekt på 1,66 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,3 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• batterikontakt

• DC/DC-omformer

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links

Recently viewed