Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 63,36

(ekskl. moms)

Kr. 79,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 1.520 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 3,168Kr. 63,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7752
Producentens varenummer:
SI2308BDS-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.192Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.66W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.3nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 156 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal nominel effekt på 1,66 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,3 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• batterikontakt

• DC/DC-omformer

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links