Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2308BDS-T1-E3

RS-varenummer:: 180-7752
Producentens varenummer:: SI2308BDS-T1-E3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2308BDS-T1-E3

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 63,36

(ekskl. moms)

Kr. 79,20

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Udgår

Sidste 1.820 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 3,168	Kr. 63,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7752
Producentens varenummer:: SI2308BDS-T1-E3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.3A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.192Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.66W
	Portkildespænding maks.	±20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.3nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.12mm
	Længde	3.04mm
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21
	Bredde	2.64 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.192Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.66W
	Portkildespænding maks. ±20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.3nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.12mm
	Længde 3.04mm
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21
	Bredde 2.64 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 156 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal nominel effekt på 1,66 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,3 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• batterikontakt

• DC/DC-omformer

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet