Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7274
Producentens varenummer:
SI2369DS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 29 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 30 V. MOSFET'en har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 7,6 A og maksimalt effekttab på 2,5 W. MOSFET er blevet optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• DC/DC-omformer

• til mobil databehandling

• Belastningsomskifter

• Kontakt til notebook-adapter

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

Relaterede links