Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7273
- Producentens varenummer:
- SI2347DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 180-7273
- Producentens varenummer:
- SI2347DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 42mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.64mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 42mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.64mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 42 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal nominel effekt på 1,7 W og kontinuerlig drænstrøm på 5 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• DC/DC-omformer
• Belastningsomskifter
• Kontakt til notebook-adapter
• Strømstyring
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -3.1 A -20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET