MPN

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2347DS-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7778
Producentens varenummer:: SI2347DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2347DS-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 70,25

(ekskl. moms)

Kr. 87,80

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

100 enhed(er) klar til afsendelse
Plus 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 4.850 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 - 450	Kr. 1,405	Kr. 70,25
500 - 1200	Kr. 0,984	Kr. 49,20
1250 - 2450	Kr. 0,914	Kr. 45,70
2500 - 4950	Kr. 0,844	Kr. 42,20
5000 +	Kr. 0,80	Kr. 40,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7778
Producentens varenummer:: SI2347DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	42mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	1.1W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	2.64 mm
	Højde	1.12mm
	Længde	3.04mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-23
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 42mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 1.1W
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 2.64 mm
	Højde 1.12mm
	Længde 3.04mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 42 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal nominel effekt på 1,7 W og kontinuerlig drænstrøm på 5 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• DC/DC-omformer

• Belastningsomskifter

• Kontakt til notebook-adapter

• Strømstyring

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet