Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2303CDS-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 710-3241
- Producentens varenummer:
- SI2303CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 63,06
(ekskl. moms)
Kr. 78,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 11.140 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 3,153 | Kr. 63,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3241
- Producentens varenummer:
- SI2303CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.33Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.33Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2399DS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej Si2387DS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2307CDS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2337DS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2347DS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2365EDS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2369DS-T1-GE3