Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.408,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.260,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 9.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,136Kr. 3.408,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-1425
Producentens varenummer:
SI2303CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.7A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.33Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Længde

3.04mm

Bredde

1.4 mm

Højde

1.02mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links