Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 19,25

(ekskl. moms)

Kr. 24,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 53.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 0,385Kr. 19,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3139
Producentens varenummer:
SI2365EDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.0675Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.8nC

Min. driftstemperatur

-50°C

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links