Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 72,25

(ekskl. moms)

Kr. 90,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 41.350 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 450Kr. 1,445Kr. 72,25
500 - 1200Kr. 1,013Kr. 50,65
1250 - 2450Kr. 0,796Kr. 39,80
2500 - 4950Kr. 0,724Kr. 36,20
5000 +Kr. 0,577Kr. 28,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3139
Producentens varenummer:
SI2365EDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.0675Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.8nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Min. driftstemperatur

-50°C

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links