Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 5.9 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2343CDS Nej SI2343CDS-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 812-3120
- Producentens varenummer:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 61,42
(ekskl. moms)
Kr. 76,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 43.060 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,071 | Kr. 61,42 |
| 200 - 480 | Kr. 2,308 | Kr. 46,16 |
| 500 - 980 | Kr. 1,904 | Kr. 38,08 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,623 | Kr. 32,46 |
| 2000 + | Kr. 1,593 | Kr. 31,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3120
- Producentens varenummer:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si2343CDS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.045Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si2343CDS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.045Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2343CDS Nej
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2365EDS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2374DS Nej SI2374DS-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2374DS Nej
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej SI2399DS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej Si2387DS-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 185 mA 60 V Forbedring SOT-23, TP0610K Nej TP0610K-T1-GE3
