Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 9.564,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.955,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 15.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,188Kr. 9.564,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7181
Producentens varenummer:
SI2337DS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.2A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.303Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Min. driftstemperatur

-50°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links