Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.273,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.092,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,091Kr. 3.273,00
6000 +Kr. 1,036Kr. 3.108,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7270
Producentens varenummer:
SI2307CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

138mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.14W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret dobbelt P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 88 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,5 A og en maksimal nominel effekt på 1,8 W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

Relaterede links