Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2307CDS-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 79,75

(ekskl. moms)

Kr. 99,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 3,19Kr. 79,75
250 - 600Kr. 3,121Kr. 78,03
625 - 1225Kr. 2,358Kr. 58,95
1250 - 2475Kr. 1,882Kr. 47,05
2500 +Kr. 1,436Kr. 35,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7738
Producentens varenummer:
SI2307CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

138mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.14W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Bredde

2.64 mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret dobbelt P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 88 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,5 A og en maksimal nominel effekt på 1,8 W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

Relaterede links