Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7738
- Producentens varenummer:
- SI2307CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 79,75
(ekskl. moms)
Kr. 99,75
(inkl. moms)
Tilføj 175 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.200 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 3,19 | Kr. 79,75 |
| 250 - 600 | Kr. 3,121 | Kr. 78,03 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,358 | Kr. 58,95 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,882 | Kr. 47,05 |
| 2500 + | Kr. 1,436 | Kr. 35,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7738
- Producentens varenummer:
- SI2307CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 138mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.14W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 2.64 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 138mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.14W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 2.64 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret dobbelt P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 88 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,5 A og en maksimal nominel effekt på 1,8 W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET