Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2377EDS
- RS-varenummer:
- 165-6912
- Producentens varenummer:
- SI2377EDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.312,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.140,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,104 | Kr. 3.312,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6912
- Producentens varenummer:
- SI2377EDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2377EDS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2377EDS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2377EDS
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2323DDS
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2343CDS
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET