Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2301CDS Nej SI2301CDS-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 46,08

(ekskl. moms)

Kr. 57,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 220 tilbage, klar til afsendelse
  • Plus 260 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 2.680 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,304Kr. 46,08
200 - 480Kr. 1,844Kr. 36,88
500 - 980Kr. 1,384Kr. 27,68
1000 - 1980Kr. 1,148Kr. 22,96
2000 +Kr. 1,036Kr. 20,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3238
Producentens varenummer:
SI2301CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

Si2301CDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

112mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

860mW

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links