Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2301CDS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 57,46

(ekskl. moms)

Kr. 71,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 160 tilbage, klar til afsendelse
  • Plus 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 2.460 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,873Kr. 57,46
200 - 480Kr. 2,304Kr. 46,08
500 - 980Kr. 1,724Kr. 34,48
1000 - 1980Kr. 1,436Kr. 28,72
2000 +Kr. 1,294Kr. 25,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3238
Producentens varenummer:
SI2301CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

Si2301CDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

112mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

860mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.