Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2308BDS Nej SI2308BDS-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 67,70

(ekskl. moms)

Kr. 84,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 540 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,385Kr. 67,70
200 - 480Kr. 2,543Kr. 50,86
500 - 980Kr. 2,371Kr. 47,42
1000 - 1980Kr. 2,039Kr. 40,78
2000 +Kr. 1,687Kr. 33,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3257
Producentens varenummer:
SI2308BDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

Si2308BDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.192Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.66W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.3nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links