Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SI Nej SI2392BDS-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 82,28

(ekskl. moms)

Kr. 102,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.960 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 20Kr. 4,114Kr. 82,28
40 - 80Kr. 3,598Kr. 71,96
100 - 280Kr. 3,213Kr. 64,26
300 - 980Kr. 3,146Kr. 62,92
1000 +Kr. 3,078Kr. 61,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9893
Producentens varenummer:
SI2392BDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SI

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.149Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links