Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2304DDS

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 75,80

(ekskl. moms)

Kr. 94,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
  • Plus 3.050 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 450Kr. 1,516Kr. 75,80
500 - 1200Kr. 1,063Kr. 53,15
1250 - 2450Kr. 0,834Kr. 41,70
2500 - 4950Kr. 0,758Kr. 37,90
5000 +Kr. 0,682Kr. 34,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3117
Producentens varenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si2304DDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links