Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2366DS Nej
- RS-varenummer:
- 165-6910
- Producentens varenummer:
- SI2366DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.438,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.296,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,146 | Kr. 3.438,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6910
- Producentens varenummer:
- SI2366DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2366DS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 42mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2366DS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 42mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2366DS Nej SI2366DS-T1-GE3
- Infineon Type N-Kanal 5.8 A 25 V Forbedring SOT-23, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 5.8 A 25 V Forbedring SOT-23, HEXFET Nej IRFML8244TRPBF
- Vishay Type N-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 4.6 A 80 V Forbedring SOT-23, Si3476DV Nej
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2338DS Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2374DS Nej
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET Nej