Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2318CDS Nej
- RS-varenummer:
- 919-4205
- Producentens varenummer:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.802,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.504,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 69.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,934 | Kr. 2.802,00 |
| 6000 + | Kr. 0,887 | Kr. 2.661,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4205
- Producentens varenummer:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | Si2318CDS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 51mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie Si2318CDS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 51mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 5 3 ben, SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 3 3 ben TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 SOT-23 SI2393DS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 4 6 ben, SOT-23 SI3476DV-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 5 3 ben, SOT-23 SI2374DS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3
