Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
180-7275
Producentens varenummer:
SI2392ADS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

189mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 126 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 100 V. MOSFET'en har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,1 A og maksimalt effekttab på 2,5 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• Boost-konvertere

• DC/DC-konvertere

• LED-baggrundsbelysning i LCD-TV

• Belastningsomskifter

• strømstyring til mobil databehandling

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links