Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2392ADS-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7811
Producentens varenummer:: SI2392ADS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2392ADS-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 61,20

(ekskl. moms)

Kr. 76,40

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 1.380 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 3,06	Kr. 61,20
200 - 480	Kr. 2,297	Kr. 45,94
500 - 980	Kr. 1,99	Kr. 39,80
1000 - 1980	Kr. 1,84	Kr. 36,80
2000 +	Kr. 1,436	Kr. 28,72

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7811
Producentens varenummer:: SI2392ADS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.1A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	189mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.9nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.6W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	2.64 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.12mm
	Længde	3.04mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 189mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.6W
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 2.64 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.12mm
	Længde 3.04mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 126 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 100 V. MOSFET'en har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,1 A og maksimalt effekttab på 2,5 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• Boost-konvertere

• DC/DC-konvertere

• LED-baggrundsbelysning i LCD-TV

• Belastningsomskifter

• strømstyring til mobil databehandling

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet