Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1,05

(ekskl. moms)

Kr. 1,31

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 1,05
25 - 99Kr. 0,70
100 - 499Kr. 0,52
500 +Kr. 0,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-213
Producentens varenummer:
SI2302HDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±8 V

Effektafsættelse maks. Pd

0.71W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

Relaterede links