Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1,27

(ekskl. moms)

Kr. 1,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 31. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 1,27
25 - 99Kr. 0,82
100 - 499Kr. 0,60
500 +Kr. 0,52

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-213
Producentens varenummer:
SI2302HDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.71W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.