Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7267
Producentens varenummer:: SI2300DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.994,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.744,00

(inkl. moms)

Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Restlager hos RS

Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,998	Kr. 2.994,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7267
Producentens varenummer:: SI2300DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.6A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	68mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.1W
	Portkildespænding maks.	12 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.12mm
	Længde	3.04mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	2.64 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-23
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 68mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.1W
	Portkildespænding maks. 12 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.12mm
	Længde 3.04mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 2.64 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 12 V. Den har en drænkildemodstand på 68mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 1,7 W og kontinuerlig drænstrøm på 3,6 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 2,5V og 4,5 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• DC/DC-omformer til bærbare enheder

• Belastningsomskifter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet