Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2318CDS
- RS-varenummer:
- 787-9036
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-02-276
- Producentens varenummer:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 41,08
(ekskl. moms)
Kr. 51,36
(inkl. moms)
Tilføj 260 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 69.820 enhed(er) afsendes fra 03. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 2,054 | Kr. 41,08 |
| 200 - 480 | Kr. 1,93 | Kr. 38,60 |
| 500 - 980 | Kr. 1,747 | Kr. 34,94 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,642 | Kr. 32,84 |
| 2000 + | Kr. 1,541 | Kr. 30,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9036
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-02-276
- Producentens varenummer:
- SI2318CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2318CDS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 51mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2318CDS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 51mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 40 V Forbedring SOT-23, Si2318CDS
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2338DS
- Vishay Type N-Kanal 4.6 A 80 V Forbedring SOT-23, Si3476DV
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2374DS
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2304DDS
- Vishay Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2366DS
- Vishay Type N-Kanal 1.8 A 100 V Forbedring SOT-23, SI
- Vishay Type N-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
