Vishay N-Kanal, MOSFET, 5,6 A 40 V, 3 ben, SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3

RS-varenummer:: 787-9036
Producentens varenummer:: SI2318CDS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 5,6 A 40 V, 3 ben, SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 20)

Kr. 0,708

(ekskl. moms)

Kr. 0,885

(inkl. moms)

180 På lager for afsendelse samme dag*

80 enheder til afsendelse inden for 4 arbejdsdag(e) (UK lager)

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
20 +	Kr. 0,708	Kr. 14,16

RS-varenummer:: 787-9036
Producentens varenummer:: SI2318CDS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	5,6 A
Drain source spænding maks.	40 V
Kapslingstype	SOT-23
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	51 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	1.2V
Effektafsættelse maks.	2,1 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Længde	3.04mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	5,8 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Bredde	1.4mm
Antal elementer per chip	1
Højde	1.02mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Vishay N-Kanal, MOSFET, 5,6 A 40 V, 3 ben, SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor

Relaterede links