Vishay N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2304DDS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 2.505,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.132,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,835Kr. 2.505,00
6000 +Kr. 0,793Kr. 2.379,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6932
Producentens varenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si2304DDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.