Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2338DS Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.922,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.654,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,974Kr. 2.922,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6909
Producentens varenummer:
SI2338DS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si2338DS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.033Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links