Vishay N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 (TO-236AB), SI2324BDS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 4,94

(ekskl. moms)

Kr. 6,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 24Kr. 4,94
25 - 99Kr. 3,29
100 +Kr. 1,87

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-344
Producentens varenummer:
SI2324BDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23 (TO-236AB)

Serie

SI2324BDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.21Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.86nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N-kanal MOSFET er designet til at optimere strømstyringsapplikationer, med en robust 100 V drain-kilde mærkespænding og forbedrede termiske egenskaber for effektiv drift.

Den høje termiske modstandsdygtighed øger pålideligheden

Designet til LED-baggrundsbelysning og DC/DC-konverteranvendelser

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.