Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, 3.8 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2367DS Nej SI2367DS-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 50 enheder)*

Kr. 142,35

(ekskl. moms)

Kr. 177,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.600 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
50 +Kr. 2,847Kr. 142,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3136
Producentens varenummer:
SI2367DS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.8A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

Si2367DS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.066Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links