Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, 3.8 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2367DS
- RS-varenummer:
- 165-6933
- Producentens varenummer:
- SI2367DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 165-6933
- Producentens varenummer:
- SI2367DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2367DS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.066Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2367DS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.066Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2367DS
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.8 A 20 V Forbedring ChipFET, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 2.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, Si2308BDS
- Vishay P-kanal-Kanal -3.1 A -20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2323DDS
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET