Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2323DDS Nej SI2323DDS-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 61,56

(ekskl. moms)

Kr. 76,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 40 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 640 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,078Kr. 61,56
200 - 480Kr. 2,282Kr. 45,64
500 - 980Kr. 1,908Kr. 38,16
1000 - 1980Kr. 1,691Kr. 33,82
2000 +Kr. 1,231Kr. 24,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3110
Producentens varenummer:
SI2323DDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

Si2323DDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.79V

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links