Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 228-2813
- Producentens varenummer:
- Si2387DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.775,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.468,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,925 | Kr. 2.775,00 |
| 6000 + | Kr. 0,878 | Kr. 2.634,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2813
- Producentens varenummer:
- Si2387DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET Gen IV P-kanal Power MOSFET bruges til belastningsafbryder, kredsløbsbeskyttelse og motorstyring.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 3 A 80 V SOT-23, TrenchFET Si2387DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 3 ben TrenchFET SI2369DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 3 ben TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 A 20 V SOT-23, TrenchFET SI2399DS-T1-GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 3 3 ben TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 3 3 ben TrenchFET SI2392ADS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 3 3 ben TrenchFET SI2300DS-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 1 3 ben, SOT-23 SI2337DS-T1-GE3
