Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2814
- Producentens varenummer:
- Si2387DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 124,775
(ekskl. moms)
Kr. 155,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 4,991 | Kr. 124,78 |
| 250 - 600 | Kr. 4,736 | Kr. 118,40 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,498 | Kr. 87,45 |
| 1250 - 2475 | Kr. 3,234 | Kr. 80,85 |
| 2500 + | Kr. 2,998 | Kr. 74,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2814
- Producentens varenummer:
- Si2387DS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET Gen IV P-kanal Power MOSFET bruges til belastningsafbryder, kredsløbsbeskyttelse og motorstyring.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET