Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej Si2387DS-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 72,55

(ekskl. moms)

Kr. 90,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.525 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 2,902Kr. 72,55
250 - 600Kr. 2,753Kr. 68,83
625 - 1225Kr. 2,032Kr. 50,80
1250 - 2475Kr. 1,882Kr. 47,05
2500 +Kr. 1,741Kr. 43,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2814
Producentens varenummer:
Si2387DS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET Gen IV P-kanal Power MOSFET bruges til belastningsafbryder, kredsløbsbeskyttelse og motorstyring.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links