Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej Si2319DDS-T1-GE3

RS-varenummer:: 178-3853
Producentens varenummer:: Si2319DDS-T1-GE3
Brand:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej Si2319DDS-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 140,90

(ekskl. moms)

Kr. 176,10

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 4.900 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 - 50	Kr. 2,818	Kr. 140,90
100 - 450	Kr. 2,394	Kr. 119,70
500 - 950	Kr. 2,115	Kr. 105,75
1000 +	Kr. 1,83	Kr. 91,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-3853
Producentens varenummer:: Si2319DDS-T1-GE3
Brand:: Vishay Siliconix

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay Siliconix
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.6A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	100mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	12.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	1.7W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.02mm
	Længde	3.04mm
	Bredde	1.4 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay Siliconix
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SOT-23
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 100mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 1.7W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.02mm
	Længde 3.04mm
	Bredde 1.4 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSF

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en modstand på 75 mdr. Ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal effektspredning på 1,7 W og en konstant drænstrøm på 3,6 A. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

• TrenchFET power MOSFET

Anvendelsesområder

• Batterikontakt

• Belastningskontakt

• Styring af motordrev

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet