Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2308BDS Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
RS-varenummer:
919-0266
Producentens varenummer:
SI2308BDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

Si2308BDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.192Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.66W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.3nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links