Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2369DS-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7798
Producentens varenummer:: SI2369DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2369DS-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 56,55

(ekskl. moms)

Kr. 70,70

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

75 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Sidste 1.725 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 - 225	Kr. 2,262	Kr. 56,55
250 - 600	Kr. 2,22	Kr. 55,50
625 - 1225	Kr. 1,694	Kr. 42,35
1250 - 2475	Kr. 1,358	Kr. 33,95
2500 +	Kr. 1,134	Kr. 28,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7798
Producentens varenummer:: SI2369DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	7.6A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	40mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	11.4nC
	Effektafsættelse maks. Pd	1.6W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	2.64 mm
	Længde	3.04mm
	Højde	1.12mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.6A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-23
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 40mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.4nC
	Effektafsættelse maks. Pd 1.6W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 2.64 mm
	Længde 3.04mm
	Højde 1.12mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 29 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 30 V. MOSFET'en har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 7,6 A og maksimalt effekttab på 2,5 W. MOSFET er blevet optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• DC/DC-omformer

• til mobil databehandling

• Belastningsomskifter

• Kontakt til notebook-adapter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet