Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-8002
- Producentens varenummer:
- SI4900DY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 76,82
(ekskl. moms)
Kr. 96,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 4.790 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,682 | Kr. 76,82 |
| 100 - 240 | Kr. 7,308 | Kr. 73,08 |
| 250 - 490 | Kr. 5,752 | Kr. 57,52 |
| 500 - 990 | Kr. 4,989 | Kr. 49,89 |
| 1000 + | Kr. 4,069 | Kr. 40,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8002
- Producentens varenummer:
- SI4900DY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.058Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 4.8mm | |
| Højde | 1.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.058Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Længde 4.8mm | ||
Højde 1.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix SI4900DY-serien af TrenchFET dobbelt N-kanal Power MOSFET har en drain til kildespænding på 60 V. Den bruges i LCD-TV og CCFL-inverter.
Blyfri
Halogenfri
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.3 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 20 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 9.5 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 6.5 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 36 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
