Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.830,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.537,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,732Kr. 6.830,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7298
Producentens varenummer:
SI4900DY-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.058Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.35mm

Længde

4.8mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix SI4900DY-serien af TrenchFET dobbelt N-kanal Power MOSFET har en drain til kildespænding på 60 V. Den bruges i LCD-TV og CCFL-inverter.

Blyfri

Halogenfri

Relaterede links