Vishay 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 818-1390
- Producentens varenummer:
- SI7288DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 818-1390
- Producentens varenummer:
- SI7288DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 15.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Længde | 5.99mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 15.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Længde 5.99mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 N-Kanal Isoleret 20 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 5.3 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET