Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 34,43

(ekskl. moms)

Kr. 43,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 10.640 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 3,443Kr. 34,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1390
Producentens varenummer:
SI7288DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

15.6W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

150°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Bredde

5 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.99mm

Højde

1.07mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links