Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 919-4334
- Producentens varenummer:
- SI7288DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.344,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.930,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 9.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,448 | Kr. 10.344,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4334
- Producentens varenummer:
- SI7288DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 15.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 15.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 20 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 5.3 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET