Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.344,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.930,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 9.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,448Kr. 10.344,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4334
Producentens varenummer:
SI7288DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

150°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

15.6W

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

1.07mm

Bredde

5 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.99mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links