Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7961
Producentens varenummer:: SI4896DY-T1-E3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 66,78

(ekskl. moms)

Kr. 83,475

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 19. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 13,356	Kr. 66,78

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7961
Producentens varenummer:: SI4896DY-T1-E3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9.5A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	22mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	1.56W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	34nC
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	6.2 mm
	Højde	1.75mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.5A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 22mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 1.56W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 6.2 mm
	Højde 1.75mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 16,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et effekttab på 1,56 W og kontinuerlig drænstrøm på 6,7 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne MOSFET er hhv. 6 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• Belastningskontakter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21