Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 23.035,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.795,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 9,214Kr. 23.035,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7296
Producentens varenummer:
SI4896DY-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.5A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

1.56W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 16,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et effekttab på 1,56 W og kontinuerlig drænstrøm på 6,7 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne MOSFET er hhv. 6 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• adapterkontakt

• Belastningskontakter

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

Relaterede links