Vishay N-Kanal, MOSFET, 9.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7296
- Producentens varenummer:
- SI4896DY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 180-7296
- Producentens varenummer:
- SI4896DY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.56W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.56W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 16,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et effekttab på 1,56 W og kontinuerlig drænstrøm på 6,7 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne MOSFET er hhv. 6 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• Belastningskontakter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 9.5 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 5.3 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 71.9 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 46 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET