Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-8097
- Producentens varenummer:
- SI4559ADY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 78,47
(ekskl. moms)
Kr. 98,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.910 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,694 | Kr. 78,47 |
| 50 - 120 | Kr. 13,344 | Kr. 66,72 |
| 125 - 245 | Kr. 11,608 | Kr. 58,04 |
| 250 - 495 | Kr. 9,574 | Kr. 47,87 |
| 500 + | Kr. 7,54 | Kr. 37,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8097
- Producentens varenummer:
- SI4559ADY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.58Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.4W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Bredde | 4 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.58Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.4W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Bredde 4 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 58 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 5,3 A og 3,9 A. Den har en maksimal nominel effekt på 3,4 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet. Den kan anvendes i CCFL-invertere.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 5.3 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 6.5 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 19.8 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 9.5 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET