Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SI4559ADY-T1-E3
- RS-varenummer:
- 180-8097
- Producentens varenummer:
- SI4559ADY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 78,47
(ekskl. moms)
Kr. 98,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.910 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,694 | Kr. 78,47 |
| 50 - 120 | Kr. 13,344 | Kr. 66,72 |
| 125 - 245 | Kr. 11,608 | Kr. 58,04 |
| 250 - 495 | Kr. 9,574 | Kr. 47,87 |
| 500 + | Kr. 7,54 | Kr. 37,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8097
- Producentens varenummer:
- SI4559ADY-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.58Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.58Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 58 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 5,3 A og 3,9 A. Den har en maksimal nominel effekt på 3,4 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet. Den kan anvendes i CCFL-invertere.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 5.3 A 8 ben TrenchFET SI4559ADY-T1-E3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 3 5 8 ben, SOIC SI4559ADY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 8 8 ben TrenchFET Si4056ADY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 8 ben TrenchFET SI4447ADY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 19 8 ben TrenchFET SI4425DDY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 6 8 ben TrenchFET SI4946BEY-T1-E3
- Vishay N-Kanal 19.8 A. 20 V SO-8, TrenchFET SI4204DY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 36 A 30 V SO-8, TrenchFET SI4497DY-T1-GE3